芯片互聯(lián)設(shè)備以微納尺度精密互連技術(shù)為核心原理，通過優(yōu)化微凸點共晶鍵合精度、熱壓鍵合溫度控制及界面材料可靠性，實現(xiàn)高密度芯片封裝、信號完整性與長期可靠性，廣泛應(yīng)用于先進(jìn)封裝、Chiplet異構(gòu)集成及傳感器模組等領(lǐng)域。在高性能計算中，其用于硅中介層與邏輯芯片的微凸點互連；汽車電子領(lǐng)域，滿足車載芯片耐高溫與抗振動需求；消費電子中，保障5G射頻模組的低延遲傳輸。相較于傳統(tǒng)引線鍵合，芯片互聯(lián)設(shè)備具有互連密度高、電性能優(yōu)及工藝穩(wěn)定性強等特性，是半導(dǎo)體先進(jìn)封裝的核心裝備。

中科檢測是具有法院入冊的產(chǎn)品質(zhì)量鑒定服務(wù)機構(gòu)，可以提供芯片互聯(lián)設(shè)備質(zhì)量鑒定服務(wù)，擁有專業(yè)鑒定團(tuán)隊和先進(jìn)的儀器設(shè)備，為芯片互聯(lián)設(shè)備質(zhì)量鑒定提供公正、準(zhǔn)確的鑒定結(jié)果。

隨著異構(gòu)集成技術(shù)復(fù)雜度提升，相關(guān)質(zhì)量糾紛案件顯著增加。司法爭議焦點集中于：

1、性能指標(biāo)爭議：鍵合強度不達(dá)標(biāo)、高頻信號串?dāng)_超標(biāo)；

2、材料缺陷：微凸點SnAg焊料成分偏差、底部填充膠CTE失配；

3、工藝問題：熱壓鍵合溫度梯度失控、等離子清洗后表面氧濃度殘留；

4、合同履約爭議：核心模塊（如激光輔助鍵合系統(tǒng)、納米級對位平臺）與技術(shù)協(xié)議不符。

此類案件需通過界面微觀分析、電性能測試及工藝參數(shù)追溯，明確質(zhì)量責(zé)任歸屬。

芯片互聯(lián)設(shè)備訴訟質(zhì)量鑒定通常采用以下技術(shù)方法：

1. 外觀檢查

目視或顯微鏡檢查設(shè)備的外觀，觀察是否有焊接不良、引腳彎曲、表面劃痕等缺陷。

2. 電氣測試

使用電阻計、電感計等設(shè)備，測量設(shè)備的電氣特性，如電阻、電感、電容等。

3. 材料分析

對設(shè)備的焊料、引腳和基板材料進(jìn)行成分分析，檢查是否有雜質(zhì)、缺陷或腐蝕。

4. 破壞性分析

對設(shè)備進(jìn)行截面分析、金相分析，觀察內(nèi)部結(jié)構(gòu)、焊接質(zhì)量和材料分布。

5. 應(yīng)力測試

通過熱循環(huán)、振動或沖擊測試，評估設(shè)備的抗應(yīng)力能力。

申請人某封測廠與被申請人某設(shè)備商簽訂《倒裝焊設(shè)備采購合同》，約定鍵合強度≥60MPa。量產(chǎn)中芯片互連失效率超10%，廠商辯稱系客戶芯片表面污染導(dǎo)致。

鑒定分析結(jié)果：

質(zhì)量分析專家組對“芯片互聯(lián)設(shè)備”的相關(guān)資料、合同技術(shù)協(xié)議、現(xiàn)場查勘案件材料等數(shù)據(jù)進(jìn)行了討論和綜合技術(shù)分析，作出以下質(zhì)量分析意見：

涉案芯片互聯(lián)設(shè)備的鍵合溫度控制模塊偏差±15℃（協(xié)議±5℃），導(dǎo)致IMC層厚度不均（0.3-3μm）；焊料Ag含量僅1.8%（協(xié)議3.0-3.5%），剪切強度僅35MPa；等離子清洗后表面氧殘留8at%（協(xié)議≤3at%）。

鑒定結(jié)論認(rèn)定工藝控制缺陷與材料成分偏差是失效主因。

芯片互聯(lián)設(shè)備質(zhì)量鑒定報告應(yīng)包含：

1、鑒定目的（如失效歸因、性能驗證）及引用標(biāo)準(zhǔn)（IPC-7095、JEDEC JESD22-A104等）；

2、涉案設(shè)備型號、工藝參數(shù)記錄、生產(chǎn)批次；

3、檢測方法及設(shè)備清單（如SEM-EDS、網(wǎng)絡(luò)分析儀）；

4、檢測數(shù)據(jù)與失效關(guān)聯(lián)性分析（如Ag含量對鍵合強度的影響）；

5、明確質(zhì)量責(zé)任判定結(jié)論及技術(shù)依據(jù)；

6、鑒定人員簽名、微電子封裝專業(yè)資質(zhì)證明及機構(gòu)公章。