半導體器件鹽霧試驗

半導體器件鹽霧試驗

中科檢測環(huán)境可靠性實驗中心擁有各種半導體器件機械和氣候試驗設備，具備鹽霧試驗能力，為半導體器件、設備提供專業(yè)的鹽霧試驗服務。
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半導體器件鹽霧試驗 試驗背景

半導體器件鹽霧試驗目的是通過模擬嚴酷的海邊大氣對器件暴露表面影響的加速試驗，確定半導體器件耐腐蝕的能力，適用于工作在海上和沿海地區(qū)的器件，屬于破壞性試驗。
中科檢測環(huán)境可靠性實驗中心擁有各種半導體器件機械和氣候試驗設備，具備鹽霧試驗能力，為半導體器件、設備提供專業(yè)的鹽霧試驗服務。

半導體器件鹽霧試驗 試驗方式

預處理之后，試驗樣品應按規(guī)定方式放置在試驗箱里，使它們彼此不接觸，彼此不遮擋，能自由地接受鹽霧作用，腐蝕生成物和凝聚物不會從一個樣品滴落在另一個樣品上。 試驗箱中噴霧的保持時間應按試驗條件的要求執(zhí)行。
試驗期間，試驗箱內的溫度應保持在（35±2）C，鹽霧的濃度和噴出速度應調節(jié)到使試驗區(qū)城內鹽沉降率為（30±10）g/（m2·d）。
在不低于35 ℃測量時，鹽溶液的pH值應在6.0~7.5之間[只能用化學純（CP級）的鹽酸或氫氧化鈉（稀溶液）來調整pH值]。

半導體器件鹽霧試驗 試驗標準

GB/T 4937.1-2006 半導體器件機械和氣候試驗方法 第1部分：總則
GB/T 4937.13-2018 半導體器件機械和氣候試驗方法 第13部分：鹽霧
IEC 60749-13：2002半導體器件機械和氣候試驗方法 第 13部分：鹽霧
IEC 60068-2-11環(huán)境試驗第2 部分：試驗方法試驗 Ka：鹽霧
GB/T 2423.17- 2008 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗 第2部分：試驗方法 試驗Ka：鹽霧