半導體器件高溫工作壽命試驗

中科檢測環(huán)境可靠性實驗中心擁有各種半導體器件機械和氣候試驗設備，具備高溫工作壽命試驗能力，為半導體器件、設備提供專業(yè)的高溫工作壽命試驗服務。

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半導體器件高溫工作壽命試驗試驗背景

高溫工作壽命測試是很通用的可靠性測試方式之一，幾乎所有的半導體器件都會經(jīng)歷這項測試。半導體器件高溫工作壽命試驗，即利用高溫，電壓加速的方式，在一定時間內(nèi)通過加速測試，來預估這個電子器件在未來長時間內(nèi)的正常工作的壽命，即電子器件的生命周期的預估。
中科檢測環(huán)境可靠性實驗中心擁有各種半導體器件機械和氣候試驗設備，具備高溫工作壽命試驗能力，為半導體器件、設備提供專業(yè)的高溫工作壽命試驗服務。

半導體器件高溫工作壽命試驗試驗方式

根據(jù)對應的壽命試驗規(guī)范規(guī)定，在壽命試驗的開始、每個中間臨時過程的節(jié)點和壽命試驗結束后需進行測試。臨時測試和最終測試可以包括高溫測試。然而，升溫測試只能在指定室溫（和更低）測試之后。
臨時測試后，在實驗室升溫前或移入高溫實驗室10分鐘之內(nèi)應加載偏置。去除偏置96h內(nèi)完成電學參數(shù)測試，越快越好。如果測試遇到缺乏儀器或其他要素等困難，器件上的偏置應當保留，可以延長偏置應力壽命，或者在室溫下對器件施加偏置直到滿足96h的期限。

半導體器件高溫工作壽命試驗試驗標準

GB/T 4937.1-2006 半導體器件機械和氣候試驗方法第1部分：總則
GB/T 4937.23半導體器件機械和氣候試驗方法第23部分：高溫工作壽命
IEC 60749- -23： 2010半導體器件機械和氣候試驗方法第23部分：高溫工作壽命
IEC 60747 （所有章節(jié)）半導體器件-分立器件和集成電路
IEC 60749-34：半導體器件-機械和氣候試驗方法-第34部分：功率循環(huán)（間歇壽命）